北京建网站公司推荐,免费引流推广工具,专业制作广告,line 设计网站4.半导体退火设备 双腔全自动兼容6-8寸快速退火炉RTP 产地:中国 型号: S803 特点: 室温到1250C#xff0c;应用于SiC#xff0c;GaN等第三代半导体领域 简介 (Description) S803系列自动快速退火炉#xff0c;内置Robot可以自动取放片#xff0c;适用于最大8英寸 (单片200m…4.半导体退火设备 双腔全自动兼容6-8寸快速退火炉RTP 产地:中国 型号: S803 特点: 室温到1250°C应用于SiCGaN等第三代半导体领域 简介 (Description) S803系列自动快速退火炉内置Robot可以自动取放片适用于最大8英寸 (单片200mm200mm及6英寸 (单片150mm150mm) 硅片、第二代、第三代化合物材料等 (包括但不限于确化稼碳化硅氮化嫁等各类衬底和外延片)拥有出色的热源和结构设计独有专利的温度控制系统能更为精准进行温控操作可视化软件平台也实时对温度进行监控并矫正保证工艺的稳定性和重复性。双面加热方式与单面加热相比可以大幅减小图案加载效应晶片上的热的均匀性将更好。多路气体配置(可定制更多)配置真空腔体整机通过Semi认证。设备国产化率达到90%配件渠道丰富。
设备主要工艺应用 (Application) 快速热处理(RTP)快速退火(RTA)快速热氧化(RTO)快速热氮化(RTN): 离子注入/接触退火 高温退火; 高温扩散: 金属合金 热氧化处理 设备主要应用领域 (Field) 化合物半导体 (磷化钢、砷化、氮化物、碳化硅等) ; MEMS等传感器 二极管、MOSFET及IGBT等功率器件
