网站开发工作总结,如何在学校内网建立网站,网页设计与制作教程第四版清华大学出版社,怎么查看网站访问速度防反接设计#xff1a; 同步电路和异步电路的区别:
同步电路:存储电路中所有触发器的时钟输入端都接同一个时钟脉冲源#xff0c;因而所有触发器的状态的变化都与所加的时钟脉冲信号同步。
异步电路:电路没有统一的时钟#xff0c;有些触发器的时钟输入端与时钟脉冲源相连…防反接设计 同步电路和异步电路的区别:
同步电路:存储电路中所有触发器的时钟输入端都接同一个时钟脉冲源因而所有触发器的状态的变化都与所加的时钟脉冲信号同步。
异步电路:电路没有统一的时钟有些触发器的时钟输入端与时钟脉冲源相连只有这些触发器的状态变化与时钟脉冲同步而其他的触发器的状态变化不与时钟脉冲同步。
H7---tool的波形显示功能在调PID方面具有很大优势。 iic中上拉电阻的作用
IIC是一种同步的串行通信协议它只需要两根线进行数据传输即数据线SDA和时钟线SCL。在IIC通信中上拉电阻是必需的主要基于以下几点原因确保通信时总线处于高电平状态IIC总线在空闲时两根线SDA和SCL都必须保持高电平状态。由于IIC接口采用Open Drain机制它本身只能输出低电平而无法主动输出高电平。因此需要通过外部上拉电阻将信号线拉至高电平确保总线在空闲时保持高电平状态使总线的电平变化和数据传输更加稳定可靠上拉电阻的存在有助于稳定总线的电平变化确保数据传输的可靠性避免总线处于未定义状态如果总线上没有任何器件拉低SDA或SCL线总线可能会处于未定义状态。上拉电阻的存在可以避免这种情况的发生确保总线在无主设备的情况下也能正确地读取总线电平关于是否可以不要上拉电阻这取决于具体的硬件设计和应用需求。一些单片机型号内部已经设置了上拉电阻因此在使用这些单片机时可能不需要额外的外部上拉电阻。然而如果单片机使用的是标准的IIC接口那么通常不需要外部上拉电阻。但如果使用单片机的引脚来模拟IIC协议并且引脚不支持漏极开路模式或上拉模式那么就需要接入一个外部的上拉电阻。
MCU中断分为EXTI外部中断USART,IIC,TIM等的中断。
ADC模数转换器和定时器可以通过以下方式实现联动使用定时器触发ADC采样定时器可以设置为在固定的时间间隔后触发ADC进行一次采样。这种方式可以确保每次ADC采样的时间间隔都是固定的从而避免数据的误差。当定时器触发ADC采样时ADC会开始转换模拟信号为数字信号并在转换完成后将结果存储在指定的寄存器中。 结构体struct和联合体union也称为共用体是两种构造数据类型的方式它们在C语言中经常被使用。结构体struct结构体是由一系列具有相同类型或不同类型的数据构成的数据集合。换句话说结构体允许将不同的数据组合成一个整体其变量是共存的。结构体的各个成员会占用不同的内存互相之间没有影响。这种数据结构的主要优点是存储容量较大包容性强且成员之间不会相互影响因为它们占用不同的内存。然而缺点是结构体的内存使用量至少等于所有成员占用的内存总和这可能导致内存的浪费因为不是所有的成员都可能会被使用。联合体union联合体也是由不同的数据类型组成但其变量是互斥的所有的成员共占一段内存。联合体使用了内存覆盖技术这意味着同一时刻只能保存一个成员的值一次只能使用一个成员。如果对新的成员赋值就会覆盖原来成员的值。因此虽然联合体中可以定义多个成员但其大小由最大的成员大小决定共用体占用的内存等于最大的成员占用的内存。
SVPWM全称是空间矢量脉宽调制是一种比较新颖的控制方法。它主要由三相功率逆变器的六个功率开关元件组成通过特定的时序和换相产生的脉宽调制波。SVPWM的目的是生成一个可以调压和调频的三相对称交流电源。SVPWM的主要原理是平均值等效原理即在一个开关周期内通过对基本电压的矢量进行组合使其平均值与给定电压相等。这个过程涉及到将逆变器和电动机看作一个整体使用八个基本电压矢量合成期望的电压矢量。通过建立逆变器功率器件的开关状态并依据电机磁链和电压的关系实现对电动机恒磁通变压变频调速。与传统的正弦PWMSPWM相比SVPWM使得绕组电流波形的谐波成分减小降低了电机转矩脉动使旋转磁场更逼近圆形。此外SVPWM还提高了直流母线电压的利用率并且更易于实现数字化。
输入失调电压和失调电流是描述运算放大器或差分放大器性能的两个重要参数。输入失调电压是指在两个输入端之间的电位差即偏置电压。理论上当两个输入端接地时输出应该为零但实际上会有一些残余电压这个残余电压就是输入失调电压。例如如果一个运算放大器的输入失调电压为2mV当两个输入端都接地时实际上输出电压不为零而是2毫伏。这种失调电压会对电路的整体准确性产生严重影响因为它会弱化两个输入信号之间的差异从而增加电路的误差。失调电流是指当一个运算放大器的两个输入端电势相等时两个输入端之间的电流。当两个输入端接地时运放的虚对地电流不为零这个电流就是失调电流。失调电流也可以引起电路的失调因为输入端的偏置电源电流会通过放大器的输入电阻产生一定的偏置电压从而影响电路的输出准确性。
ADC模数转换器前端要接电压跟随器的主要目的是提高采集电路的输入阻抗和抑制输入信号的干扰。电压跟随器也称为缓冲放大器其输出电压近似等于输入电压但具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。在ADC采集电路中输入信号可能受到来自外部环境的干扰或者由于采集电路本身的输入阻抗较低而导致信号失真。通过添加电压跟随器可以将输入信号隔离开来从而提高输入阻抗减少对输入信号的影响。此外电压跟随器还可以提供稳定的输入电压确保输入信号的准确性和稳定性。另外ADC通常需要一个稳定的参考电压作为基准电压跟随器也可以用来提供稳定的参考电压以确保ADC的准确性和稳定性。
常用的不同电压基准芯片
MOS管的导通电阻RDS(on)与阈值电压VGSth温度特性详解_mos管导通电阻-CSDN博客
MOS管的导通电阻是正温度特性阈值电压是负温度特性.不管是NMOS还是PMOS导通电阻RDSon都随着温度的升高而增大阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。
DSP:主要用于数字信号处理
数字电源为什么一般用DSP控制。第一个原因是因为普通单片机没有高分辨率定时器在低压小电感高频中常用
网上学习的芯片是DSP28335教程如下
【普中官方】DSP28335手把手开发讲解视频_哔哩哔哩_bilibili
为什么数字电源通常采用DSP控制而不是普通单片机_哔哩哔哩_bilibili
DSP和通用单片机的区别是什么_哔哩哔哩_bilibili RAMRandom Access Memory和ROMRead-Only Memory是计算机中两种不同类型的存储器它们的主要区别体现在以下方面存储特性RAM是一种可以随机读写数据的存储器它的特点是可读可写且读写速度较快。然而RAM中的数据在断电后会丢失因此它主要用于存储短时间使用的程序和数据。而ROM则是一种只能读取不能写入的存储器其数据在制造过程中被一次性写入并在之后永久保存不会在断电后丢失。ROM主要用于存储固定不变的程序和数据如操作系统的引导程序、重要的参数设置等。功能应用在手机中RAM相当于电脑的内存负责程序的运行和数据交换它决定了手机可以开多少后台程序以及运行速度的快慢。而ROM则相当于电脑的硬盘是一个存储空间可以存储各种文件包括视频、照片、音乐、软件等。 ARM本身并不是单片机。ARM是一种处理器架构而非单片机。单片机是一种集成了处理器、存储器和外设的微型计算机系统。虽然ARM处理器可以用于单片机设计例如ARM Cortex-M系列的处理器常被用于单片机领域但它本身并不等同于单片机。ARM处理器具有低功耗、高性能、高可靠性等特点广泛应用于各种设备包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统等。因此虽然ARM处理器在单片机设计中有所应用但不能将ARM直接等同于单片机。 MOS:
功率MOSFET的15点经验上 - 知乎
一种由MOS组成的理想二极管 一种继电器电路 DDR
深入浅出DDR系列(一)--DDR原理篇_ddr interleave-CSDN博客
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DDR布线规则与过程——见过最简单的DDR布线教程_ddr3线序-CSDN博客
ROM是可读可写并且速度很快而ROM只能事先写然后就只能读取所以程序在运行过程中必须读写就必须要有RAM存在。ROM只作为储存用途断电不会丢失数据而RAM在断电的时候会丢失数据
手撕BuckBuck公式推导过程_buck电路输出电压公式-CSDN博客
功率电感 - 知乎 (zhihu.com) 半桥变换 三相全桥变换和半桥变换的区别和优缺点
首先从电路结构来看三相全桥变换电路由四个开关管组成每个桥臂上都有两个开关功率管桥臂间的功率开关管是相互作用的并且存在固定相位差。而三相半桥变换电路则只采用了三相桥电路的一半只有两个开关管。这种结构差异使得半桥变换电路在抗不平衡能力上表现较好因为当变压器线圈续流能量过多时半桥电路可以通过隔直电容吸收多余的能量从而解决磁通不平衡的问题。
其次从工作原理来看三相全桥变换电路能够提供更完整的正弦波输出因此在三相负载中各相电压的平衡性较好谐波分量较少电磁干扰也较小。而三相半桥变换电路只能提供交流电的一半波形因此负载的平均电压较低电机转矩输出较小且其输出含有较多的谐波分量容易产生电磁干扰。
在应用特性上三相全桥变换电路通常适用于较高功率需求其输出功率范围可以达到几百千瓦甚至更高。而三相半桥变换电路则一般适用于低功率应用输出功率范围通常在几十千瓦级别。此外三相全桥电路在设计中需要在输出端外接交流变压器而半桥电路则采用高频的PWM对电路进行调制通常不需要加输出变压器。
MOS管可以并联均流使用吗为什么
MOS管可以做并联均流使用三极管不可以。因为MOS管具有正的温度系数即当温度升高时MOS管导通电阻会增大。而BJT管子具有负温度系数即当温度升高时导通电阻会减小。MOS管的这一特性适合并联电路中的均流因此当电路中的电流很大时一般会采用并联MOS的方法来分流。采用MOS管进行分流当其中一路电流大于另一路MOS中的电流时电流大的MOS产生的热量就会多从而引起导通阻抗的增大减小流过的电流。MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节最后可以实现并联MOS之间电流的均衡MOS管并联均流使用的一般原则是计量让其工作在相同的工作环境下。
因此、为了使电流能够静态均衡分配可采取以下措施
1对于要并联的MOSFET管严格匹配器件的Rds。
2对具有独立外壳的MOSFET管并联工作时应置于同一个散热片上并且尽量靠近。
3对于动态均流并联器件的跨导曲线必须重合。如果所有并联工作的器件栅极在同一时刻具有相同的电压但跨导不重合那么无论导通还是关断各个器都会承担不同的电流。MOS的跨导曲线是指描述MOS管栅极电压与漏极电流之间关系的曲线。
4此外电路的对称设计对平衡动态电流也很重要从栅极驱动器的共同输出点到栅极端子的引线长度应该相等从MOSFET管源极端子到共同结点的引线长度也应该相等。
三极管的饱和条件发射结正偏集电结正偏
三极管的输入输出曲线 IIC总线有不同的模式其通讯速率也因此有所不同。具体来说标准模式的时钟频率为100KHz数据传输速率为100Kbit/s快速模式的时钟频率为400KHz数据传输速率为400Kbit/s而高速模式的时钟频率为3.4MHz数据传输速率为3.4Mbit/s。这些不同的速率范围适用于不同的场景。例如100kbit/s速率适用于对数据传输速度要求不高的场景如温度、湿度、光照等传感器的数据更新。而400kbit/s速率则适用于数据传输速度稍高的场景甚至一些低速率传感器和存储器也可以使用。3.4Mbit/s速率则适用于对数据传输速度要求非常高的场景。
IIC的传输速率远不如SPI因此较为高速的传输用的都是SPI例如内存条电机编码器。
电源软启动电路三极管输入信号为低电平的时候MOS的G极处于电源的上端为高电平此时S极的电压与G极形成不了大压差所以电源关断。三极管输入信号为高电平三极管的CE两极导通MOS的G极接地拉低SG两极形成电压差所以电源开启。后面的电容可以起到缓启动的效果延长上电时间就增大电容的值反之减小电容的值。 缓启动电路
两种主要的作用1.防抖动延时上电2.控制输入电流的上升斜率和幅值。
基于MOS缓启动电路笔记-CSDN博客
MOS管——缓启动电路实例讲解 - 知乎 (zhihu.com) MOS相比三极管导通电流大导通电阻小但其导通最大电压没有三极管大。 BUCK电路的损耗主要包括以下几个方面
导通损耗当开关管导通时由于存在导通电阻会产生一定的功率损耗。这种损耗主要由功率管导通电阻引起。另外非理想的开关管在开通时开关管的电压不是立即下降到零而是有一个下降时间同时它的电流也不是立即上升到负载电流也有一个上升时间。在这段时间内开关管的电流和电压有一个交叠区也会产生损耗这个损耗即为开通损耗。
开关损耗开关损耗主要由功率管MOS栅电容引起包括导通损耗和截止损耗。导通损耗指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗而截止损耗则指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。
电感损耗BUCK电路中的电感也会产生损耗这是由于电感中的电流会产生磁场从而导致能量的损耗。电感损耗主要包括铁损和铜损。
电容损耗BUCK电路中的电容也会产生一定的损耗这是由于电容中的电流会产生电场从而导致能量的损耗。
续流二极管损耗在死区时间内寄生二极管续流也会引起损耗。
控制电路损耗BUCK电路中的控制电路也会产生一定的损耗。
为了提高BUCK电路的效率可以采取一些优化措施如选择低导通电阻和低开关时间的开关管合理选择电感和输出电容以及优化控制电路等。这些措施有助于减小各种损耗提高电路的整体效率。
列举一个电源树 单片机复位电路 电容3——晶振电路的电容选择_晶振负载电容 材质-CSDN博客
晶振电路PCB设计
1、 晶振信号线最短原则减小输出失真和启动稳定时间。线路太长会增加寄生电容而且容易发生串扰而且会影响其他信号线
2、 其他信号线特别是模拟信号线远离晶振线。晶振线路信号跳动频繁产生的磁场不断变化附近的线易受到干扰电磁感应定律
3、 晶振焊接面可以采用包地处理并多打地孔晶振底层保持完整的地平面不要有走线。这个地主要是给干扰信号一个的泄放通道
三极管放大电路:共集共基共射
三极管放大电路的原理与识图技巧 - 知乎 (zhihu.com) RS232:
深入理解RS232串口 (zhihu.com)
