集团网站建设服务,超级推荐的关键词怎么优化,网站站点建设的端口,婚礼礼服网站界面设计ROM和RAM指的都是半导体存储器 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据 RAM通常都是在掉电之后就丢失数据#xff0c;典型的就是计算机的内存。 一、ROM也有很多种#xff1a;PROM#xff08;可编程的ROM#xff09;、EPROM#xff08;可擦除可编程ROM#xff09;、EEP…ROM和RAM指的都是半导体存储器 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据 RAM通常都是在掉电之后就丢失数据典型的就是计算机的内存。 一、ROM也有很多种PROM可编程的ROM、EPROM可擦除可编程ROM、EEPROM
1、PROM是一次性的早期的产品现在已经不可能使用了;
2、EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序是一种通用的存储器;
3、EEPROM是通过电子擦出价格很高写入时间很长写入很慢;
举个例子手机软件一般放在EEPROM中我们打电话有些最后拨打的号码暂时是存在SRAM中的不是马上写入通讯记录通话记录保存在EEPROM中因为当时有很重要工作通话要做如果写入漫长的等待是让用户忍无可忍的。
二、RAM有两大类静态RAM(StaticRAM/SRAM和动态RAM(Dynamic RAM/DRAM
1、SRAM
不需要刷新电路掉电丢失数据而且一般不是行列地址复用的。集成度比较低不适合做容量大的内存一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
2、DRAM
掉电丢失数据。每隔一段时间就要刷新一次数据才能保存数据。而且是行列地址复用的许多都有页模式。DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息一旦掉电信息会全部的丢失由于栅极会漏电所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷并且每读出一次数据之后也需要补充电荷这个就叫动态刷新所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息所以集成度可以很高容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。DRAM保留数据的时间很短速度也比SRAM慢不过它还是比任何的ROM都要快从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多计算机内存就是DRAM的DRAM分为很多种常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等这里介绍其中的一种DDR RAM。一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷有电荷代表1无电荷代表0。但时间一长代表1的电容会放电代表0的电容会吸收电荷这就是数据丢失的原因刷新操作定期对电容进行检查若电量大于满电量的12则认为其代表1并把电容充满电若电量小于12则认为其代表0并把电容放电藉此来保持数据的连续性。
2.1、DDR RAM(Data-Rate RAM也称作DDR SDRAM
这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据这样就使得数据传输速度加倍了。**这是目前电脑中用得最多的内存。**在很多高端的显卡上也配备了高速DDR RAM来提高带宽这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
2.2、SDRAMSynchronous DRAM同步动态随机存储器
即数据的读写需要时钟来同步。其存储单元不是按线性排列的是分页的。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。
三、Flash闪存
它结合了ROM和RAM的长处不仅具备电子可擦除可编程EEPROM的性能还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据NVRAM的优势U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里嵌入式系统一直使用ROMEPROM作为它们的存储设备然而近年来Flash全面代替了ROMEPROM在嵌入式系统中的地位它用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用U盘。采用的并行接口有独立的地址线和数据线性能特点更像内存是芯片内执行(XIP eXecute In Place)这样应用程序可以直接在flash闪存内运行不必再把代码读到系统RAM中。NAND采用的是串行的接口地址线和数据线是共用的I/O线类似电脑硬盘。CPU从里面读取数据的速度很慢所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面然后CPU才能够执行。无法寻址和直接运行程序只能存储数据。另外NAND FLASH非常容易出现坏区所以需要有校验的算法。NOR Flash用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码
目前Flash主要有NOR Flash和NADN Flash
1、类型
分为NOR或非、 NAND与非
2、接口理解
NOR或非----地址、数据总线分开
NAND与非----地址、数据总线共用。
3、读写单位
NOR或非----字节
NAND与非----页
4、组成结构
NOR或非----扇区、字节
NAND与非----块、页
5、擦除单位
NOR或非----扇区
NAND与非----块
6、读写擦除速度
NOR的读速度比NAND稍快一些。
NAND的写入/擦除速度比NOR快很多。
flash闪存是非易失存储器可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行所以大多数情况下在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进行的执行一个写入/擦除操作的时间为5s与此相反擦除NAND器件是以832KB的块进行的执行相同的操作最多只需要4ms。
NAND的擦除单元更小相应的擦除电路更少。
(注NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同比如4M FLASH有的SECTOR擦除时间为60ms而有的需要最大6s。)
7、容量
NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大部分
NAND flash只是用在8128MB的产品当中这也说明NOR主要应用在代码存储介质中NAND适合于数据存储
8、可靠性和耐用性:
可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
**A)寿命(耐用性) **
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次而NOR的擦写次数是十万次。
NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
B)位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见NAND发生的次数要比NOR多)一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显但是如果发生在一个关键文件上这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题多读几次就可能解决了。
当然如果这个位真的改变了就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
C)坏块处理
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中如果通过可靠的方法不能进行这项处理将导致高故障率。
9、易于使用:
基于NOR的闪存可以像其他存储器那样连接并可以在上面直接运行代码。
由于NANDLFASH需要I/O接口所以要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时必须先写入驱动程序才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧因为设计师绝不能向坏块写入这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
**10、软件支持: **
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持
在NAND器件上进行执行操作时通常需要 驱动程序也就是内存技术驱动程序(MTD)
NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
11、寻址
NAND每次读取数据时都是指定块地址、页地址、列地址列地址就是读的页内起始地址每次都是先将数据读入页缓冲区内再 由I/O输入地址 在缓冲区内寻址其实这里列地址只是指定起始地址的作用。NAND是以页为基本单位 操作的。写入数据也是首先在页面缓冲区内缓冲数据首先写入这里再写命令后再统一写入页内。因此NAND页缓冲区的作用就是保证芯片的按页的读、写操作是I/O操作与芯片操作的接口、桥梁因为数据是从I/O输入的又是每次一个字节因此需要缓冲。即使每次改写一个字节都要重写整个页因为它只支持页写而且如果页内有未擦除的部分则无法编程在写入前必须保证页是空的。
NOR的 读、写是字节为基本单位操作的但擦除是以扇区操作的。
综上所述在芯片操作上NAND要比NOR快很多因为NAND是页操作的而NOR是字节操作的。
12、应用 NAND 正是基于这种构造块、页无法字节寻址页读写本身就靠的是内部复杂的串、并行转换 因此也没有很多地址引脚所以其地址、数据线共用所以容量可以做的很大 。 NOR 是和SRAM一样的可随机存储的也不需要驱动因此其地址就有限所以容量普遍较小其实是受限于地址线。
基于以上几点在工业领域NOR 用的较多特别是程序存储少量数据存储等。 在消费领域大量数据存储NAND较多。
Flash ROM是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息因为浮置栅不会漏电所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于biosU盘Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备
存储器局限性
闪存最关键的限制可能是写/擦除周期数有限。
为应对这种限制可采用固件或文件系统驱动器对存储器写的次数进行逐次计数。这些软件将动态地重新映射这些块在扇区间分享写操作。换句话说万一写操作失败软件通过写验证和重新映射向未使用的扇区授权写操作。
像RAM一样闪存可以一个字节或一个字一次进行读或编程但擦除必须是一次进行一个完整的块将块中的所有位重新置位为1。这意味着需要花更多时间进行编程。例如如果将一位0写入一个块要对该块重新编程就必须完全擦除此块而不是仅仅重写该位。
