做优化网站多少钱,东莞做网站seo,湘潭疫情最新消息今天,系统与网站的区别1.掉电检测
CubeMX配置 只需使能PVD中断即可
但是使能了PVD中断后还需要自行配置一些PWR寄存器中的参数#xff0c;我也通过HAL库进行编写
void PVD_config(void)
{//配置PWRPWR_PVDTypeDef sConfigPVD; sConfigPVD.PVDLevel PWR_PVDLEVEL_7; …1.掉电检测
CubeMX配置 只需使能PVD中断即可
但是使能了PVD中断后还需要自行配置一些PWR寄存器中的参数我也通过HAL库进行编写
void PVD_config(void)
{//配置PWRPWR_PVDTypeDef sConfigPVD; sConfigPVD.PVDLevel PWR_PVDLEVEL_7; //低于2.9V触发掉电中断sConfigPVD.Mode PWR_PVD_MODE_IT_RISING; //掉电后PVDO会置一因此选择上升沿触发HAL_PWR_ConfigPVD(sConfigPVD); //HAL库配置PVD函数//使能PVDHAL_PWR_EnablePVD(); //开启掉电中断
}
因为我们使用了CubeMX配置了中断优先级因此此处不需要再次配置
优先级在void HAL_MspInit(void)中配置
2.Flash的读写
我使用的是stm32f103c8t6 flash最大地址为 0x08010000
这里我把数据存放在0x0800C000
a).flash的擦除
在写之前需要擦除flash中的内容
flash擦除函数
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit,uint32_t *SectorError)
描述 : 擦除指定的Flash页
返回 : 状态 HAL_OK HAL_ERROR HAL_TIMEOUT
参数1 : 擦除flash时使用的结构体指针
参数2 : 错误信息擦除flash时使用的结构体指针
typedef struct
{uint32_t TypeErase; //擦除方式 : 批量擦除或页面擦除uint32_t Banks; //uint32_t PageAddress; //要擦除的首地址 (0x08000000 - FLASH_BANKx_END)uint32_t NbPages; //待擦除的页面数 (1 - max number of pages - value of initial page)
} FLASH_EraseInitTypeDef;擦除方式
#define FLASH_TYPEERASE_PAGES 0x00U /*!Pages erase only*/
#define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE 0x02U /*!Flash mass erase activation*/FLASH_BANKx_END stm32f103c8t6的最大地址是0x08010000(64kb)
b).flash的写入
flash写入函数
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)
描述 : 向flash中的一页写入数据
返回 : 状态 HAL_OK HAL_ERROR HAL_TIMEOUT
参数1 : 传输的数据类型
参数2 : 要写入的首地址
参数3 : 要写入的数据传输的数据类型
#define FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 0x01U
#define FLASH_TYPEPROGRAM_WORD 0x02U
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD 0x03U
c).flash的读取
*(__IO uint32_t *)Flash_Addr;
Flash_Addr : 要读取的首地址
在擦除和写入前都需要解锁flash结束后需要上锁 //解锁 HAL_FLASH_Unlock(); //上锁 HAL_FLASH_Lock();
实例代码
/******************************************************************************
function : void erase_flash(uint32_t addr)
describtion : 擦除flash的一个扇区
input : uint32_t addr //擦除的首地址
return : void
******************************************************************************/
void erase_flash(uint32_t addr)
{uint32_t Errcode 0;//初始化擦除结构体FLASH_EraseInitTypeDef Erase;Erase.TypeErase FLASH_TYPEERASE_PAGES;Erase.PageAddress FLASH3_ADDR;Erase.NbPages 1;//解锁HAL_FLASH_Unlock();//擦除要写入的扇区if(HAL_FLASHEx_Erase(Erase,Errcode) ! HAL_OK){return;}//上锁HAL_FLASH_Lock();
}/******************************************************************************
function : uint16_t read_flash(uint32_t addr)
describtion : 读flash中的一个16位数据
input : uint32_t addr //读取的首地址
return : uint16_t //读到的数据
******************************************************************************/
uint16_t read_flash(uint32_t addr)
{return *((__IO uint32_t *)addr);
}/******************************************************************************
function : void write_flash(uint32_t addr , uint16_t w_data)
describtion : 将一个十六位数据写入flash
input : void
return : void
******************************************************************************/
void write_flash(uint32_t addr , uint16_t w_data)
{ //解锁HAL_FLASH_Unlock();//写入数据if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,w_data) ! HAL_OK){return;}//上锁HAL_FLASH_Lock();
}
如果要实现掉电写入数据只需要在程序读完数据后擦除flash然后在掉电中断的回调函数中写入flash即可
注:不可以在掉电回调函数中擦除因为擦除比较费时掉电的时间可能不够!
有哪里写的不好欢迎在评论区讨论
