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关于今天要讲的关于手机Charge的内容小白在以前的文章很少讲一是这部分东西太多过于复杂。二是总感觉写起来欠缺点什么。但后来想一想本是抱着互相学习来写文章的心理态度还是决定尝试写一些。
关于今天要讲的关于手机Charge的内容主要想聊一聊手机在不同情况下手机Charge IC电流的路径。
下图是某国产Switch Charge的硬件框图此硬件框图在之前讲自举电容那块时有见过类似的。 从图中我们可以看到其含有四个开关管。分别为Q1(RBFET),Q2(HSFET),Q3(LSFET)以及Q4(BATFET)。关于Q2 Q3 Q4分别为BUCKBoost的两个开关管以及控制电池和VSYS连通与断开的管子。Q1Reverse Blocking MOSFET,百度翻译为反向阻断管简单点来说就是防反管。主要目的是防止在不充电状态下VBAT电压顺着Q4→电感→Q2进入VBUS端。
关于Chrge IC电流路径要清楚知道存在五种情况。 (1).ISYSVSYSIBUSVBUS即系统耗电小于手机充电这个状态应该是低功率充电(15W 10W)状态下最常见的情况了。此时既充电器既能给系统供电又能给电池充电。在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下VBUSIBUSVSYSISYSVBAT*IBAT,这种状态被称为Charge Mode。
(2). ISYSVSYSIBUSVBUS,即系统耗电大于充电供给此时充电电流完全流入系统端除此之外还会有电池给予系统供电即充电电流与电池电流共同支撑系统耗电在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下ISYSVSYSIBUSVBUSIBAT*VBAT这种状态被称为Supplyment Mode。
(3).IBUS0,VBUS0,此时系统所有耗电来自于电池这也是我们日常使用手机遇到的最多的场景即不插充电器使用手机。在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下IBATVBATISYSVSYS。这种状态被称为Supplement Mode。
(4).IBAT0,VBAT为电池饱和状态下电压或者电池不在位。此时系统的耗电完全由充电器供给。充电进入截止状态Q4管子断开。或者充电状态下电池被拔开。在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下IBUSVBUSISYSVSYS。这种状态称为Buck Mode。 (5).最后还一种叫做OTG Mode。 电流流向如上图所示。此时Charge IC处于Boost状态输出的电压通常在5.15V左右。电流往往有多个档位可自由选择。如果OTG所接负载抽电流大于Charge IC设置电流通常Charge IC会进入保护状态此时手机也会关机。
总之理解这五种情况并不难只要记住一句话电流总是电压高的地方流入电压低的地方即可轻易明白其中的道理。
